[S3] S3.超低損失軟磁性材料の開発動向～パワー半導体との共創による革新的パワエレシステムの実現に向けて～（1）

15:40 〜 16:20

[S3.7] [基調講演]革新的パワエレシステムの実現に向けた縦型GaNパワー半導体の開発動向

*田中 亮¹、高島 信也¹、上野 勝典¹、稲本 拓朗¹、近藤 剣¹、江戸 雅晴¹ (1. 富士電機株式会社)

キーワード：

半導体、デバイス、GaN

本講演では、我々が目指す縦型GaNパワーデバイスの目標特性と到達状況、技術課題について概説する。