[G] 磁性材料

13:30 〜 13:45

[137] Co–SrF₂ナノグラニュラー膜における11％TMRの実現

○王 誠¹、小林 伸聖²、増本 博¹ (1. 東北大学、2. 電磁材料研究所)

キーワード：

ナノグラニュラー膜、トンネル磁気抵抗、スピン依存トンネル伝導、超常磁性

Co–SrF₂ナノグラニュラー膜におけるスピン依存トンネル伝導を調べた。Coのスピン分極率34%から予測されるTMRの理論上限は11.56%である。本研究では11%のTMRを実現し、理論上限に極めて近いスピン依存トンネル伝導を達成した。