講演情報
[P50]斜入射蒸着によるInN薄膜の微細構造形成に及ぼす基板前処理の影響
○牛木 大誠1、井上 泰志1、高井 治2 (1. 千葉工大、2. 表面・超原子研)
キーワード：
InN薄膜、斜入射堆積（GLAD）法、機能性薄膜
本研究では，GLAD法によるInN薄膜成膜において，成膜前の基板プラズマ処理が微細構造形成に及ぼす影響を調査した．その結果，プラズマ処理により柱状晶間の空隙が増大する傾向が認められ，基板表面粗さが初期核生成および成長挙動に影響を与えることが示唆された．
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