[P] 第5分野　材料化学　P24～P30

[P51] スパッタリング法を用いたSUS316L上Ru薄膜の結晶方位制御

○谷田川 隼¹、堀越 響¹、永野 隆敏¹ (1. 茨城大学)

キーワード：

薄膜、結晶方位、スパッタリング法、ルテニウム、SUS316L

Ruには基板の結晶方位に関わらず(0001)に優先して配向する性質がある。しかし、多結晶合金基板上で同様の傾向があるかについては未解明である。そのため、オーステナイト系ステンレスであるSUS316L上にRuをスパッタし、XRDによる結晶方位測定を行うことで、優先配向が可能であるか調査した。