[16a-A21-1~8] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:45 〜 10:00

[16a-A21-4] 第一原理計算によるGaNの極性反転界面構造の解析

〇河村 貴宏¹、秋山 亨¹、三宅 秀人¹、寒川 義裕²、池田 和久³、谷川 智之³ (1.三重大院工、2.九大応力研、3.阪大院工)

キーワード：

窒化ガリウム、第一原理計算、界面構造

GaNとAlNの成長においては，AlN中間層を挿入することによって極性反転が起こることが知られている。GaNに関しては，GaNの酸化層を挿入することによっても極性反転が可能であることが報告されており，AlN中間層無しに極性反転を起こす技術として期待されている。III-V族窒化物半導体において，その極性は成長プロセスや結晶品質，さらに最終的なデバイス性能に影響するため適切な極性制御技術が必要であり，そのためには極性反転が起こるメカニズムを明らかにする必要がある。AlNの極性反転に関しては実験・計算双方の観点から多くの先行研究が報告されているが，GaN酸化層の挿入によるGaNの極性反転に関してはほとんど明らかになっていない。そこで本研究では上記のGaNの極性反転が起こるメカニズムを明らかにする事を目的として，第一原理計算を用いて極性反転の界面構造について解析を行った。