2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-A21-1~8]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月16日(月) 9:00 〜 11:30
A21 (朱鷺メッセ2F)
岡田 成仁(山口大)、 大西 一生(三重大)
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9:00 〜 9:15

[16a-A21-1]劈開ScAlMgO4基板上GaNのRF-MBE成長における初期過程解析

〇萩原 宣顕1、山田 泰弘1、草山 大生1、出浦 桃子2、藤井 高志1、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
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9:15 〜 9:30

[16a-A21-2]ScAlMgO4基板上InGaNのRF-MBE成長における初期過程解析

〇久保 祐太1、鐘 元澤1、出浦 桃子2、藤井 高志1、荒木 努1 (1.立命館大理工、2.R-GIRO)
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9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[16a-A21-3]PEDOT/PSSを正孔輸送層に用いたScAlMgO₄基板上赤色LED

〇(M2)加藤 悠真1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、松山 絵美2、鈴木 敦志2、坂本 龍星1、伊藤 涼太郎1 (1.名城大学理工、2.E&E エボリューション（株）)
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9:45 〜 10:00

[16a-A21-4]第一原理計算によるGaNの極性反転界面構造の解析

〇河村 貴宏1、秋山 亨1、三宅 秀人1、寒川 義裕2、池田 和久3、谷川 智之3 (1.三重大院工、2.九大応力研、3.阪大院工)
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10:15 〜 10:45

[16a-A21-5][分科内招待講演] N極性GaN結晶を用いた高周波トランジスタの開発

〇眞壁 勇夫1 (1.住友電工)
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10:45 〜 11:00

[16a-A21-6]汎用機械学習ポテンシャルを用いた+c, -c面GaNへの不純物の取込みの解析

〇吉田 成輝1、眞壁 勇夫1、山村 拓嗣1、牧山 剛三1、中田 健1 (1.住友電工)
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11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[16a-A21-7]多層極性反転積層構造の作製に向けたN極性GaN/Ga極性GaN
エピタキシャル極性反転プロセス

〇池田 和久1、上田 佳奈子1、上向井 正裕1、谷川 智之1、片山 竜二1 (1.阪大院工)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[16a-A21-8]極性反転積層構造におけるAlN表面酸化プロセスの研究

〇玉野 智大1、正直 花奈子1,2、赤池 良太1,3、安永 弘樹1,3、中村 孝夫1,3、上向井 正裕4、谷川 智之4、片山 竜二4、三宅 秀人1,3 (1.三重大院工、2.京大院工、3.半導体・デジタル未来創造センター、4.阪大院工)
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