[16a-A25-1~10] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

11:00 〜 11:15

[16a-A25-8] Ge-on-Siを用いたマイクロブリッジ上の金属薄膜堆積による効果

〇小田島 綾華¹、井上 貴裕¹、石川 陸¹、澤野 憲太郎¹ (1.東京都市大学)

キーワード：

半導体、ゲルマニウム、マイクロブリッジ