[16a-A31-1~11] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

9:30 〜 9:45

[16a-A31-3] カーボンナノチューブ不揮発性メモリ素子におけるCNT潰れ構造の諸物性

〇森本 崇宏¹、山田 貴壽¹、藤井 香里¹、小橋 和文¹ (1.産総研)

キーワード：

カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ不揮発性メモリ、抵抗変化メモリ

カーボンナノチューブ不揮発性メモリ（CRAM）は、電圧印可による抵抗変化を利用したメモリ素子であり、不揮発性・高速書き込み性・高書き込み耐性・高い情報保持力など次世代メモリとして高いポテンシャルを有している。一方で、基本動作原理やCNT電極界面の挙動など未解明な部分も多く残されている。本講演では、前回応物で報告を行ったCNT層中の基本構造であるCNTが潰れスタックした構造に関して、CNT種や処理条件による構造や物性の違い、特にナノプローバーを用いた単一バンドル単位での評価結果について報告を行う予定で有る。