[16a-A33-1~11] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

9:00 〜 9:15

[16a-A33-1] ナノ抵抗変化メモリ素子を用いたニューラルネットワークのスケールアウトへの展望

〇丸亀 孝生¹、楠瀬 黎¹、川合 遼一²、三谷 祐一郎² (1.北大院情報、2.東京都市大)

キーワード：

ニューラルネットワーク、シナプスデバイス、ナノ抵抗変化メモリ素子

ナノ抵抗変化メモリ素子を用いたニューラルネットワークの開発方向性を議論し，従来は小規模なNNのデモンストレーションに留まっていた研究をスケールアウトさせるためのハードウェアプラットフォームの例を示し将来展望を議論する．