[16a-A33-1~11] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

10:00 〜 10:15

[16a-A33-5] Cuイオン含有PVAを抵抗変化層に用いたReRAMの溶液濃度依存性

〇岩澤 侑司¹、小林 亮太¹、永井 裕己¹、相川 槙也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

抵抗変化メモリ、ポリビニルアルコール、硫酸銅