[16a-C31-1~10] 6.4 薄膜新材料

9:45 〜 10:00

[16a-C31-4] バナジウム酸化物蛍光体薄膜の電場による蛍光強度変化

〇中島 智彦¹、北中 佑樹¹ (1.産総研)

キーワード：

蛍光体薄膜、バナジウム酸化物、イメージングセンサ

静電場イメージングセンサの構築を企図し、CsVO₃薄膜の蛍光に対し、静電場が与える影響を検討した。下部電極FTO基板上へPt/SiO₂/CsVO₃/TiO₂積層膜を形成し、静電場印加を行ったところ蛍光強度が大きく減少することを見出した。この蛍光強度の減少は逆バイアスの印加によって回復する方向へ変化する。このようにCsVO₃の非対称積層膜において電場印加による可逆な蛍光強度変化を得ることに成功した。