[16p-A21-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[16p-A21-13] 分極ドープ層導入による230nm帯AlGaN far-UVC LEDの特性改善

〇(M1)藤本 康平^1,2、牟田 実広³、カーン アジマル¹、藤川 紗千恵^1,2、矢口 裕之²、祝迫 恭³、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大院理工、3.日本タングステン)

キーワード：

AlGaN LED、UVC