セッション詳細

[16p-A21-1~14]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月16日(月) 13:00 〜 17:00
A21 (朱鷺メッセ2F)
小島 一信(阪大)、 飯田 一喜(豊田合成)、 濱口 達史(三重大)

[16p-A21-1]凹面鏡を有するGaN系面発光レーザーの光ファイバー近似

〇大西 一生1、樋口 直輝1,2、張 正義1,2、田丸 真稔1,2、濵口 達史1,3 (1.三重大iCSDF、2.三重大工、3.三重大院工)
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[16p-A21-2]GaN 面発光レーザの共振波長および発光ピーク波長の面内分布

〇柴原 直暉1、柳川 光樹1、西川 大智1、荒川 将輝1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大 理工)
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[16p-A21-3]GaInN量子井戸活性層を有する面発光レーザーの閾値電流密度低減と高精度発光波長制御に向けた検討

〇荒川 将輝1、西川 大智1、柳川 光樹1、柴原 直暉1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1、野中 健太郎2、倉岡 義孝2、吉野 隆史2 (1.名城大理工、2.日本ガイシ(株))
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[16p-A21-4]高反射DBR装荷メンブレン型InGaN系レーザ構造の提案と試作

〇佐藤 秀哉1、髙橋 勇貴1、菊池 昭彦1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研)
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[16p-A21-5]a面AlNテンプレート上へのHVPE法によるホモエピタキシャル成長

〇伊藤 駿希1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2,3、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構)
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[16p-A21-6]AlGaN 系屈折率導波型 UV-B レーザダイオードの作製

〇三宅 倫太郎1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、佐々木 祐輔1、岩山 章1、岩山 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大理工、2.三重大工)
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[16p-A21-7]n型AlN/AlGaN超格子クラッド層を用いたUVレーザダイオード構造

〇江端 一晃1、舘野 功太1、平間 一行1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT物性研)
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[16p-A21-8]加圧・加熱水による基板剥離技術を用いた縦型UV-Bレーザーダイオードの作製

〇佐々木 祐輔1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、丸山 竣大1、狩野 祥吾1、岩山 章1、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三宅 秀人2 (1.名城大理工、2.三重大院工)
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[16p-A21-9]加圧加熱水によるサファイア基板の剥離技術を用いたThin Film LED の作製

〇狩野 祥吾1、井本 圭紀1、山田 凌矢1、齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、佐々木 祐輔1、丸山 竣大1、岩山 章1、三宅 秀人2、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大・理工、2.三重大・院工)
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[16p-A21-10]AlGaN系UV-B LDにおける急峻なヘテロ接合界面を適用したデバイス性能

〇齋藤 巧夢1、三宅 倫太郎1、山田 凌矢1、井本 圭紀1、丸山 竣大1、佐々木 祐輔1、狩野 祥吾1、岩山 章1、三宅 秀人2、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工、2.三重大院工)
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[16p-A21-11]AlN障壁多重量子井戸からの電子線励起による230 nm帯発光

〇岩瀬 怜也1、赤池 良太1,2、安永 弘樹2,3、中村 孝夫1,2,3、長尾 昌善4、村上 勝久4、三宅 秀人1,2 (1.三重大院工、2.半導体・デジタル未来創造センター、3.研究基盤推進機構、4.産総研デバイス技術研究部門)
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[16p-A21-12]エミッション顕微鏡を用いたUV-C LEDにおける中長期劣化の観察

〇本田 善央1、古澤 優太1、田中 敦之1、塚本 涼子1、宮崎 敦嗣2、坊山 晋也2、奥野 浩司2、斎藤 義樹2、嶋 紘平3、秩父 重英3、石黒 永孝4、竹内 哲也4、久志本 真希1、天野 浩1 (1.名大未来研、2.豊田合成、3.東北大多元研、4.名城大理工)
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[16p-A21-13]分極ドープ層導入による230nm帯AlGaN far-UVC LEDの特性改善

〇(M1)藤本 康平1,2、牟田 実広3、カーン アジマル1、藤川 紗千恵1,2、矢口 裕之2、祝迫 恭3、平山 秀樹1 (1.理研、2.埼玉大院理工、3.日本タングステン)
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[16p-A21-14]Revisiting the Growth Temperature Dependence of n-AlGaN Buffer Layer and Quantum-Well in (228-230 nm)-Band far-UVC LEDs

〇Muhammad Ajmal Khan1, Mitsuhiro Muta2, Kohei Fujimoto1,3, Yuya Nagata1,3, Yukio Kashima1, Eriko Matsuura1, Sachie Fujikawa3, Hiroyuki Yaguchi3, Yasushi Iwaisako2, Hideki Hirayama1 (1.RIKEN, 2.Nippon Tungsten Co., Ltd. Japan, 3.Saitama University)
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