[16p-A25-1~16] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

17:30 〜 17:45奨励賞エントリー

[16p-A25-15] Ni-InGaAs合金を用いたInGaAs-Siハイブリッドプラズモニック導波路受光器

〇小松 健太郎¹、中山 武壽¹、赤澤 智熈¹、脇田 耀介¹、作本 宙彌¹、張 超¹、宮武 悠人¹、モンフレ ステファン²、ブフ フレデリック²、唐 睿¹、トープラサートポン カシディット¹、高木 信一¹、竹中 充¹ (1.東大院工、2.STマイクロエレクトロニクス)

キーワード：

シリコンフォトニクス、受光器

シリコンフォトニクスにおいて、プラズモニック導波路受光器は金属間のナノギャップに光を閉じ込めることができる性質から、超小型かつ高速な動作が期待されている。本研究では、InGaAs-Siハイブリッドプラズモニック導波路受光器を、Ni-InGaAs合金用いて作成し、受光感度0.13 A/W、動作速度12 Gbit/sの動作を確認した。