[16p-A25-1~16] 3.14 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー

[16p-A25-2] Si基板上にµ-Transfer Printing集積した1.1cm長薄膜ニオブ酸リチウム光変調器

〇村井 俊哉¹、高 磊¹、コン グァンウェイ¹、今井 雅彦²、高林 和雅²、三田村 宣明²、秋山 傑²、山田 浩治¹ (1.産総研、2.富士通オプティカルコンポーネンツ)

キーワード：

ニオブ酸リチウム、µ-Transfer Printing、シリコンフォトニクス

Siフォトニクスプラットフォームおいて高速光変調器を実現するため,薄膜ニオブ酸リチウム(TFLN)のSi上への集積が進んでいる.本発表では,異種材料を任意基板上へ選択的に転写する接合手法であるµ-トランスファープリンティング(µ-TP)集積として,LNの報告で最長である1.1 cm長のTFLN変調器をSi基板上に集積に成功した結果を報告する.加えてDC変調特性を測定しµ-TP集積においても実用化レベルの光変調特性が得られることを明らかにする.