[16p-B2-1~15] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

16:30 〜 16:45

[16p-B2-13] 単一PbS量子ドットトランジスタへの電気二重層ゲートの適用

〇滝口 智稀¹、高橋 央輔¹、大塚 朋廣^2,3、柴田 憲治¹ (1.東北工大、2.東大通研、3.理研CEMS)

キーワード：

コロイド量子ドット、単電子トランジスタ、電気二重層

コロイド量子ドット（QD）は直径数ナノメートルの非常に小さな半導体結晶であり、近年特に光デバイスへの応用が期待されている。中でも硫化鉛（PbS） QDは赤外光領域で幅広く吸収波長を制御できる有望な光電変換材料であり、デバイス応用に向けてQD間のキャリア伝導の理解と制御が重要な課題となっている。本発表では特に、単一PbS QDのキャリア伝導の大幅な電界変調に関する実験結果について報告する。