セッション詳細

[16p-B2-1~15]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

2024年9月16日(月) 13:00 〜 17:15
B2 (展示ホールB)
中岡 俊裕(上智大)、 太田 竜一(NTT)、 樋浦 諭志(北大)

[16p-B2-1]超短光パルスペア励起下におけるプラズモンからのテラヘルツ波放射

〇長谷川 尊之1、小島 磨2 (1.大阪工大工、2.千葉工大工)
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[16p-B2-2]多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの様々な励起光波長における光電流の励起光強度依存性

〇海津 利行1、小島 磨2、南 康夫3、北田 貴弘4、原田 幸弘5、喜多 隆5、和田 修6 (1.京大ナノハブ、2.千葉工大工、3.日大生産工、4.松江高専、5.神戸大院工、6.神戸大)
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[16p-B2-3]GaAs/AlAs多重量子井戸におけるポンプ-プローブ信号に対するレーザースペクトルフィルタリングの効果

〇小島 磨1、西田 伊吹1、大勝 敦氏1 (1.千葉工大工)
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[16p-B2-4]AlAs/GaAs超格子中の電流−電圧特性と散乱時間の温度依存特性

〇前田 凪1、朱 翔宇1、べスコン マーク2、長井 奈緒美1、黒山 和幸1、平川 一彦1 (1.東大生研・ナノ量子機構、2.マルセイユ大IN2MP)
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[16p-B2-5]Lattice temperature dependence of electron cooling in semiconductor double barrier heterostructures

〇Xiangyu Zhu1, Alec Cochard1,4, Gueric Etesse2, Marc Bescond1,2, Gerald Bescond3, Naomi Nagai1, Kazuhiko Hirakawa1 (1.IIS/LIMMS, UTokyo, 2.IM2NP-CNRS, AMU, 3.Ecole Normale Superieure, 4.ESPCI Paris)
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[16p-B2-6]GaNAs量子井戸とトンネル結合したInAs量子ドットにおける発光円偏光度の磁場による振動特性

〇坂野 駿介1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
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[16p-B2-7]InP/InAs 単一ナノワイヤ発光の光励起条件と熱影響

〇田原 光1、松本 拓海1、章 国強2、俵 毅彦1 (1.日本大学、2.NTT 物性研)
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[16p-B2-8]歪印加デバイスを用いたQD発光エネルギー制御

〇田端 孝成1、鍜治 怜奈1、小田島 聡1、足立 智1 (1.北大院工)
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[16p-B2-9]ホット𝐍 +イオン注入法による Si 量子ドットの発光強度向上効果

〇米津 和正1、水野 智久1 (1.神奈川大学理)
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[16p-B2-10]熱酸化膜中へのGeホットイオン注入によるGeO2量子ドットの形成

〇(M2)坂 颯人1、水野 智久1 (1.神奈川大学理)
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[16p-B2-11]反応促進溶媒を添加した有機溶媒中での多孔質Siの低温加熱破砕による
無極性溶媒分散性マルチカラーSi量子ドットコロイドの作製

〇(M2)小西 智貴1、中村 俊博1、越田 信義2 (1.法政大院理工、2.農工大院共生)
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[16p-B2-12]単一ペロブスカイト量子ドットに対する電気伝導特性評価

〇高橋 央輔1、大塚 朋廣2,3、柴田 憲治1 (1.東北工大、2.東北大通研、3.理研CEMS)
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[16p-B2-13]単一PbS量子ドットトランジスタへの電気二重層ゲートの適用

〇滝口 智稀1、高橋 央輔1、大塚 朋廣2,3、柴田 憲治1 (1.東北工大、2.東大通研、3.理研CEMS)
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[16p-B2-14]SOI上InGaAsナノワイヤ縦型ゲートオールアラウンドトランジスタの作製

〇谷山 慶太1、竹田 有輝1、東 佑樹1、鄭 子ヨウ1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北海道大)
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[16p-B2-15]単電子回路によるプリム法表現のための信号伝搬速度制御を用いた重み表現回路

〇石井 峻平1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)
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