セッション詳細
[16p-B2-1~15]13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス
2024年9月16日(月) 13:00 〜 17:15
B2 (展示ホールB)
中岡 俊裕(上智大)、 太田 竜一(NTT)、 樋浦 諭志(北大)
[16p-B2-2]多重積層InAs/GaAs量子ドットを用いた光伝導アンテナの様々な励起光波長における光電流の励起光強度依存性
〇海津 利行1、小島 磨2、南 康夫3、北田 貴弘4、原田 幸弘5、喜多 隆5、和田 修6 (1.京大ナノハブ、2.千葉工大工、3.日大生産工、4.松江高専、5.神戸大院工、6.神戸大)
[16p-B2-4]AlAs/GaAs超格子中の電流−電圧特性と散乱時間の温度依存特性
〇前田 凪1、朱 翔宇1、べスコン マーク2、長井 奈緒美1、黒山 和幸1、平川 一彦1 (1.東大生研・ナノ量子機構、2.マルセイユ大IN2MP)
[16p-B2-5]Lattice temperature dependence of electron cooling in semiconductor double barrier heterostructures
〇Xiangyu Zhu1, Alec Cochard1,4, Gueric Etesse2, Marc Bescond1,2, Gerald Bescond3, Naomi Nagai1, Kazuhiko Hirakawa1 (1.IIS/LIMMS, UTokyo, 2.IM2NP-CNRS, AMU, 3.Ecole Normale Superieure, 4.ESPCI Paris)
[16p-B2-6]GaNAs量子井戸とトンネル結合したInAs量子ドットにおける発光円偏光度の磁場による振動特性
〇坂野 駿介1、樋浦 諭志1、高山 純一1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
[16p-B2-11]反応促進溶媒を添加した有機溶媒中での多孔質Siの低温加熱破砕による
無極性溶媒分散性マルチカラーSi量子ドットコロイドの作製
〇(M2)小西 智貴1、中村 俊博1、越田 信義2 (1.法政大院理工、2.農工大院共生)
[16p-B2-13]単一PbS量子ドットトランジスタへの電気二重層ゲートの適用
〇滝口 智稀1、高橋 央輔1、大塚 朋廣2,3、柴田 憲治1 (1.東北工大、2.東大通研、3.理研CEMS)
[16p-B2-14]SOI上InGaAsナノワイヤ縦型ゲートオールアラウンドトランジスタの作製
〇谷山 慶太1、竹田 有輝1、東 佑樹1、鄭 子ヨウ1、本久 順一1、冨岡 克広1 (1.北海道大)