[16p-C31-1~18] 6.4 薄膜新材料

17:15 〜 17:30奨励賞エントリー

[16p-C31-16] 金属イオンの界面局在化による二次元 ZnO ナノシートの完全選択合成

〇(M1)松村 竜之介¹、斉藤 光²、松尾 保孝^1,3、奈須 滉^1,4、小林 弘明^1,4、岡 紗雪^1,3、Narathon Kemasiri³、蓬田 陽平^1,3、長島 一樹^1,3 (1.北大総化院、2.九大先導研、3.北大電子研、4.北大理)

キーワード：

金属酸化物ナノシート、液相合成、イオン層エピタキシー法

二次元金属酸化物ナノシートは、多彩な酸化物機能物性と二次元結晶の特徴を兼ね備えた興味深いナノ材料である。イオン層エピタキシー法は、広範な酸化物材料への適用可能性がある一方で、副生成物の生成は不可避であり、デバイス応用における最も本質的な課題となっていた。本研究では、核形成理論および金属イオン界面局在化アプローチにより、副生成物の形成を劇的に抑制し、厚さ1nm以下のZnOナノシートの完全選択合成に成功した。