セッション詳細

[16p-C31-1~18]6.4 薄膜新材料

2024年9月16日(月) 13:00 〜 18:00
C31 (ホテル日航新潟 3F)
丸山 伸伍(東北大)、 山原 弘靖(東大)

[16p-C31-1][分科内招待講演] 機能性酸化物の「機能」を引き出す薄膜成長とデバイス応用の可能性

〇太田 裕道1 (1.北大電子研)
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[16p-C31-2]交互ターゲットPLD法により作製したZrNxHy薄膜の仕事関数評価

〇(M2)宮崎 大地1、吉松 公平1、相馬 拓人1、組頭 広志2,3、大友 明1 (1.東工大物質理工、2.高エネ研、3.東北大多元研)
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[16p-C31-3]アルカリ金属水素化ホウ素化合物のエピタキシャルヘテロ接合

〇村上 響1、神永 健一1、丸山 伸伍1、松本 祐司1 (1.東北大工)
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[16p-C31-4]アルカリ金属水素化ホウ素化合物を出発物質とする真空蒸着による層状ボロフェン酸化物薄膜の合成

〇(M1)佐々木 啓太1、清水 俊介2、神永 健一1、吉井 丈晴2、村上 響1、佐藤 匠1、丸山 伸伍1、西原 洋知2、松本 祐司1 (1.東北大学、2.東北大学多元物質研究所)
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[16p-C31-5]昇温脱離ガス分析法を用いた Pd/Ni 薄膜ヘテロ構造の水素吸蔵特性評価

〇筒井 健三郎1、小野 広喜1、小澤 孝拓3、山本 航平4、石山 修4、Wilde Markus3、横山 利彦4、福谷 克之3、水口 将輝1,2、宮町 俊生1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.東大生産研、4.分子研)
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[16p-C31-6]EuCd2薄膜におけるトポロジカルホール効果の解明と外部歪みによる磁気特性の制御

〇村上 嘉哉1、西早 辰一1、渡辺 悠斗、打田 正輝1 (1.東工大理)
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[16p-C31-7]CrMnSb 3元系合金薄膜の結晶構造と磁気特性・磁気光学特性

〇家 正人1、強 博文1、宮町 俊生1、水口 将輝1 (1.名大)
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[16p-C31-8]分子線エピタキシー法によるEu-As二元系新物質薄膜の作製

〇(M1)米田 忠司1、西早 辰一1、氏家 宏幸1、中村 彩乃1、渡辺 悠斗1、Markus Kriener2、打田 正輝1 (1.東工大理、2.理研CEMS)
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[16p-C31-9]Li6.5La3Zr1.5Ta0.5O12フラックス成長の水蒸気供給による過飽和度制御と薄膜作製への適用

〇川口 昂彦1、西村 亮哉1、森谷 真夕1、坂元 尚紀1、脇谷 尚樹1 (1.静大院工)
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[16p-C31-10]フラックス法によるLiイオン固体電解質LLZTOエピタキシャル薄膜の作製

〇(M2)森谷 真夕1、川口 昂彦1、坂元 尚紀1、脇谷 尚樹1 (1.静大院工)
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[16p-C31-11]溶液プロセスによる誘電体多層膜の室温作製

〇長岡 歩1、孫 鶴2、宋 侣洋2、吉田 麗娜3、吉田 司1、硯里 善幸2 (1.山形大院有機材料システム、2.山形大INOEL、3.東京高専)
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[16p-C31-12]ミストCVD法によるCu薄膜の作製、および、その膜特性

〇(M1)岡田 達樹1、安岡 龍哉1、大橋 亮介1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工科大学、2.総研)
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[16p-C31-13]真空蒸着法によるCuBiI4薄膜の作製と評価

〇小川 航輝1、中村 陸駆1、村田 秀信2、山田 直臣1 (1.中部大院工、2.ファインセラミックスセンター)
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[16p-C31-14]層状三元系窒化物MgMoN2薄膜の固相合成

〇(M2)細川 紳1、相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
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[16p-C31-15]MnドープITOエピタキシャル成長膜の物性に対するSn濃度依存性

〇北川 彩貴1,2,3、中村 敏浩2,1 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院、3.日本学術振興会(特別研究員))
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[16p-C31-16]金属イオンの界面局在化による二次元 ZnO ナノシートの完全選択合成

〇(M1)松村 竜之介1、斉藤 光2、松尾 保孝1,3、奈須 滉1,4、小林 弘明1,4、岡 紗雪1,3、Narathon Kemasiri3、蓬田 陽平1,3、長島 一樹1,3 (1.北大総化院、2.九大先導研、3.北大電子研、4.北大理)
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[16p-C31-17]GZO/AZO積層構造熱線反射膜に関する研究

〇桑田 龍一1、青木 孝憲1、入江 満1 (1.大阪産大院工)
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[16p-C31-18]グラフェンナノリボンからなる構造規定触媒の開発

〇矢野 雅大1、保田 諭1 (1.原研先端研)
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