[16p-C43-1~12] 1.5 計測技術・計測標準

13:15 〜 13:30

[16p-C43-2] 基板中の微小欠陥深さ推定技術の開発

〇山浦 大地¹、坂田 義太朗¹、寺崎 正¹ (1.産業技術総合研究所)

キーワード：

半導体、検出技術、潜傷

半導体工程においてウェーハに形成される欠陥の中には、基板内部に存在するために一般的な観察方法では検出が難しい潜傷と呼ばれる欠陥存在する。潜傷を検出するための方法は報告されているが、その深さ情報を高精度かつ高速に計測する方法は報告されていない。本研究では、ガラス基板内部に形成した欠陥について、表面近傍を撮影した画像のみからその欠陥の深さを解析する方法についての検討を行った結果を報告する。