[16p-D62-1~17] 2.5 放射線誘起蛍光体

14:00 〜 14:15

[16p-D62-5] 極低温照射後のアニーリング過程におけるPADC中ヒドロキシル基の生成

〇貞光 俊斗¹、小日向 大輔¹、木本 敦¹、勢一 隼人¹、山田 怜央¹、金崎 真聡¹、小平 聡²、山内 知也¹、Ngono-Ravache Yvette³、楠本 多聞² (1.神大院海事、2.量研、3.CIMAP-GANIL)

キーワード：

固体飛跡検出器

固体飛跡検出器において、現在最も感度の高いものとしてPADCが挙げられ、これまでにも研究が行われてきた。本研究では、約15 µmの厚さのPADCに11 MeV/uのNeをイオントラックの重なりがみられるフルエンスまで、14 K程度の真空中で照射し、EtherやCHの結合への損傷を調べた。また、その後の昇温によるOH基や二酸化炭素の様子を観察した。先行研究では、低温ではOH基は生成せず、200 K以上で生成が確認されていた。今回は、昇温に伴い徐々にOH基が生成する様子が確認され、ラジカルの動きがOH基の生成に及ぼす影響を調べた。