[16p-D63-1~17] CS.9 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェア

14:00 〜 14:15

[16p-D63-5] Si基板上B20-CoSi薄膜のエピタキシャル成長法の開発

〇石部 貴史^1,2、佐藤 和則³、山下 雄一郎⁴、中村 芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.阪大院工、4.産総研)

キーワード：

熱電材料、シリサイド、ディラックバンド

シリサイド熱電薄膜/Siは、Internet of Thingsセンサ用の自立型ワンチップ電源としての応用が期待される。近年、Dirac bandとHeavy hole bandをフェルミ準位近傍に有するB20-CoSiバルクは、高性能熱電材料として期待されている。しかし、エピタキシャルB20-CoSi薄膜/Siを形成した報告は無い。そこで本研究では、Si基板と薄膜の間に成長核層を導入することで、Si原子拡散の制御を行い、B20-CoSi薄膜/Siのエピタキシャル成長法を開発することを目的とする。