[16p-P06-1~6] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[16p-P06-6] 日本産およびスペイン産FeS₂天然結晶を用いた低しきい値SBDのI-V特性の比較

〇安藤 陸¹、神尾 岳¹、森田 廉¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大工、2.東大生研)

キーワード：

ショットキーバリアダイオード、天然結晶、ナローギャップ半導体

我々はレクテナ等の小電力応用に適するショットキーバリアダイオード(SBD)として、日本産のFeS₂天然結晶を用いたSBDの作製を報告してきた。本研究では入手したスペイン産FeS₂天然結晶を用いたSBDを作製し、日本産FeS₂結晶を用いたSBDとI-V特性の比較をおこなった。今回の試料ではスペイン産FeS₂結晶を用いたSBDは日本産FeS₂結晶を用いたSBDよりも低バリアかつ高素子電流という小電力応用に適した特性を有していることがわかった。