[16p-P06-1~6] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-P06-6] Comparison of I-V characteristics of Low Threshold SBDs Using Japanese and Spanish FeS₂ Natural Crystals

〇Riku Ando¹, Gaku Kamio¹, Ren Morita¹, Hiroshi Fujioka², Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology, 2.Inst. of Industrial Science, Univ. of Tokyo)

Keywords:

schottky barrier diode,natural crystal,narrow gap semiconductor

我々はレクテナ等の小電力応用に適するショットキーバリアダイオード(SBD)として、日本産のFeS₂天然結晶を用いたSBDの作製を報告してきた。本研究では入手したスペイン産FeS₂天然結晶を用いたSBDを作製し、日本産FeS₂結晶を用いたSBDとI-V特性の比較をおこなった。今回の試料ではスペイン産FeS₂結晶を用いたSBDは日本産FeS₂結晶を用いたSBDよりも低バリアかつ高素子電流という小電力応用に適した特性を有していることがわかった。