[16p-P08-1~6] KS 研究会セッション（ポスター）

[16p-P08-2] 熱エッチング法を用いたNV中心ダイヤモンドピラープローブの作製

〇(M2)青木 悠真¹、Wang Yifei¹、林 都隆¹、Prananto Dwi¹、Ma Yingshu¹、金 聖祐²、小山 浩司²、赤堀 誠志¹、安 東秀¹ (1.北陸先端大、2.Orbray（株）)

キーワード：

量子センシング、ダイヤモンドNV中心

本研究は、熱エッチング法を用いたNV中心ダイヤモンドピラープローブの作製と走査NV中心プローブへの応用を目的とする。熱エッチング法を用いることで従来のフォトリソグラフィーや電子線リソグラフィーを用いる方法よりもアスペクト比の高いピラー構造を効率よく作製できる利点がある。ピラー構造の作製法の確立と作製したピラー構造中のNV中心と走査NV中心プローブとしての性能評価について報告する。