[17a-A22-1~12] KS.2 量子情報工学研究会

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[17a-A22-6] 量子ビット応用に向けたsidewall spacer構造を有するNbN/AlN/NbNジョセフソン接合

〇本田 浩輝¹、栗原 大輝¹、Duong Pham¹、沓間 弘樹^1,2、寺井 弘高³、山下 太郎¹ (1.東北大院工、2.JSTさきがけ、3.情通機構)

キーワード：

超伝導量子ビット、sidewall spacer構造、NbN/AlN/NbNジョセフソン接合

エピタキシャル成長させたNbNジョセフソン接合を用いた量子ビットは，結晶化した絶縁層AlNにより欠陥二準位系に起因するデコヒーレンスの抑制が期待されているが，複雑な素子作製プロセスにより本来のコヒーレンス特性が抑制されている可能性が指摘されている．本研究では，sidewall spacer構造に着目し同構造を有するNbN/AlN/NbN接合の作製を試み，2.2Kにおける電流電圧特性を評価した．