[17a-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[17a-B2-6] 全無機ペロブスカイト型半導体混晶CsSn_xPb_1-xBr₃の格子定数とバンドギャップの組成依存性

〇浅原 礼旺¹、阿部 将大²、堀 顕子²、五月女 真人³、近藤 高志^1,3 (1.東大工、2.芝浦工大、3.東大先端研)

キーワード：

ペロブスカイト

全無機ペロブスカイト型半導体混晶CsSn_xPb_1-xBr₃(E_g=1.7~2.3 eV)は、シリコンタンデム太陽電池に適しており、最近注目されている。しかし、その格子定数とバンドギャップを系統的に評価した研究はない。本研究では、水熱合成法で作製した単結晶を単結晶XRD解析することで格子定数を評価した。また、真空共蒸着により作製した多結晶薄膜の光吸収スペクトルを、励起子吸収を考慮したフィッティングを行うことでバンドギャップを評価したため、その報告を行う。