セッション詳細

[17a-B2-1~9]15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2024年9月17日(火) 9:00 〜 11:30
B2 (展示ホールB)
鈴木 秀俊(宮崎大)、 須藤 治生(GWJ)

[17a-B2-1]4H-SiCエピタキシャル成長層に存在する傾斜TEDの解析

〇太田 千春1、西尾 譲司1、櫛部 光弘1、飯島 良介1 (1.東芝研開センター)
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[17a-B2-2]Enhanced Hole Conductivity in Magnesium-Intercalated GaN Superlattice Probed by Terahertz Time-Domain Ellipsometry

〇Verdad Agulto1, Toshiyuki Iwamoto1,2, Kosaku Kato1, Jia Wang3, Hiroshi Amano3, Makoto Nakajima1 (1.Osaka Univ., 2.Nippo Precision Co., Ltd., 3.Nagoya Univ.)
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[17a-B2-3]CZ-Ga2O3単結晶成長時における結晶と融液の透明度と結晶ねじれの関係

〇柿本 浩一1、富田 健稔2、Vladimir Kochurikhin2、鎌田 圭1、中野 智3、吉川 彰4 (1.東北大 NICHe、2.㈱C & A、3.九大 応力研、4.東北大 金研)
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[17a-B2-4]理論計算によるSiGe混晶の安定原子配置の特徴分析

〇(M2)別宮 響1、野田 祐輔3、末岡 浩治2 (1.岡山県大院情報系工、2.岡山県大情報工、3.九工大院情報工)
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[17a-B2-5]遷移選択フォトルミネッセンス測定の実証

〇牛頭 信一郎1 (1.産総研)
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[17a-B2-6]全無機ペロブスカイト型半導体混晶CsSnxPb1-xBr3の格子定数とバンドギャップの組成依存性

〇浅原 礼旺1、阿部 将大2、堀 顕子2、五月女 真人3、近藤 高志1,3 (1.東大工、2.芝浦工大、3.東大先端研)
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[17a-B2-7]Si系分子イオン注入エピタキシャルウェーハのFeゲッタリング挙動(2)

〇廣瀬 諒1、柾田 亜由美1、門野 武1、小林 弘治1、鈴木 陽洋1、永友 翔1、栗田 一成1 (1.株式会社SUMCO)
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[17a-B2-8]電子線照射後の回復熱処理温度がSi中欠陥準位の発光再結合信号に与える影響

〇原口 佑斗1、岩切 孝洋1、原田 知季1、碇 哲雄1、福山 敦彦1、佐々木 駿2、三次 伯知2 (1.宮崎大工、2.株式会社 SUMCO)
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[17a-B2-9]結晶方位分布を考慮した機械学習による結晶欠陥発生予測

〇(M2)鳥居 和馬1、原 京花1、沓掛 健太朗1,2,3、工藤 博章4、勝部 涼司1、宇佐美 徳隆1,2,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.理研 AIP、4.名大院情、5.名大未来機構)
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