[17a-B3-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

10:15 〜 10:30

[17a-B3-4] ハフニウムが吸着したゲルマニウム表面と酸素分子の反応中に同時進行する酸化・還元反応

〇(M1)本田 優斗¹、垣内 拓大¹、津田 泰孝²、吉越 章隆² (1.愛媛大学・院理工、2.原子力研究開発機構)

キーワード：

放射光光電子分光法、ゲルマニウム半導体、ハフニウム酸化物

放射光軟X線を光源に用いた光電子分光法によって、ハフニウム（Hf）を吸着させたゲルマニウム（Ge）の表面界面の化学状態分析と化学状態選別した酸化過程解明の研究を行った。HfとGeの反応性は非常に高く、即座にHfジャーマナイド（HfGe）層を形成した。HfGe層の酸化は表面より界面層で優先的に進行した。また、Geは酸化の進行によってHf堆積膜中を拡散し、表面へ偏析する過程でHf酸化物を還元した。