[17a-B3-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[17a-B3-7] 電子線描画HSQをマスクに用いたBiFe_0.9Co_0.1O₃ナノドットの作製 (2)

〇(M1)中山 創¹、吉川 浩太¹、Lee Koomok¹、角嶋 邦之^2,3、星井 拓也^2,3、金子 智⁴、安井 学⁴、黒内 正仁⁴、重松 圭^1,3,4、東 正樹^1,3,4 (1.東工大科技院、2.東工大工、3.東工大住友化学協働研究拠点、4.神奈川産技総研)

キーワード：

マルチフェロイクス、微細加工

室温で強誘電・弱強磁性を併せ持つCo置換BiFeO₃（BFCO）は、低消費電力不揮発性メモリへの応用が期待されている。我々は、電子線描画法を用いて単結晶基板上にHSQの細孔マスクを加工し、PLD法でBFCOを蒸着させた後にマスクを除去することにより、BFCOナノドットを作製した。前回報告した一辺200nmのドットでの分極反転を実現し、ドメイン変化を調べた。また一辺100nmへの微細化に成功した。