[17a-C301-1~10] 6.4 薄膜新材料

11:15 〜 11:30

[17a-C301-10] トンネルFET用Ti_0.3Zn_0.7O_1.3の電子物性のp型Si基板キャリア濃度依存性の検討

〇(M1)小川 健太^1,2、知京 豊裕²、小椋 厚志^1,3、長田 貴弘^2,1 (1.明大理工、2.NIMS、3.明大MREL)

キーワード：

トンネルFET、薄膜材料評価