[17a-C301-1~10] 6.4 薄膜新材料

11:00 〜 11:15

[17a-C301-9] Mist CVD法を用いた(001)SrTiO₃基板上Cu₃N成長

〇(M1)月岡 知里¹、吉田 将吾¹、杉田 直樹¹、永井 裕己¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹、山口 智広¹ (1.工学院大)

キーワード：

窒化銅、ミスト化学気相成長

本研究室では, Mist CVD法を用いてα-Al₂O₃基板上に単相Cu₃Nを得たものの, 成長面内での回転ドメイン形成を報告している. 本研究ではα-Al₂O₃に変わる基板としてSrTiO₃に注目し, SrTiO₃基板上へのCu₃Nの結晶成長と, その配向性を評価した. 実験結果より, SrTiO₃基板を用いることで, 結晶が基板面内で回転することなく単結晶膜として成長することを確認した.