[17a-C302-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[17a-C302-7] AlNを電子ブロック層に用いたEu添加ZnO赤色発光ダイオード構造の提案

〇増田 莉子¹、舘林 潤¹、市川 修平^1,2、多根 正和¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：

希土類、酸化亜鉛、発光ダイオード

希土類添加半導体を用いた発光素子は、超狭帯域発光かつ周辺環境に対する発光波長安定性が高いことから注目を集めている。我々はこれまでに、電子ブロック層としてAl₂O₃を用いたヘテロ接合型LEDを作製し、逆バイアス下においてEu発光を得ることに成功している。本研究では、AlNを電子ブロック層に用い、Eu添加ZnO(ZnO:Eu)を活性層に用いたp-GaN/AlN/ZnO:Eu/n-ZnOヘテロ接合型LED構造を提案するとともに、AlN上ZnO膜およびZnO:Eu層の光学・構造特性を評価した。