[17a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

9:00 〜 9:15

[17a-C42-1] ナノテンプレート選択成長法により作製したSi(111)基板上InGaN/GaNナノコラム結晶

〇星野 航太¹、富樫 理恵^1,2、岸野 克巳^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード：

結晶成長、分子線エピタキシー、マイクロLED