セッション詳細
[17a-C42-1~9]15.4 III-V族窒化物結晶
2024年9月17日(火) 9:00 〜 11:30
C42 (ホテル日航新潟 4F)
河村 貴宏(三重大)、 大音 隆男(山形大)
[17a-C42-1]ナノテンプレート選択成長法により作製したSi(111)基板上InGaN/GaNナノコラム結晶
〇星野 航太1、富樫 理恵1,2、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)
[17a-C42-2]n-GaNナノワイヤのMOVPE成長時の異常単結晶および異常多結晶の低減
〇深水 直斗1、中川 碧1、久保田 光星1、服部 祐汰1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)
[17a-C42-3](10-11)ファセットを有するGaInN系ナノコラム上MQWの検討
〇進藤 隆太1、赤川 広海1、山口 智広1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、富樫 理恵2,3、岸野 克己2,3 (1.工学院大、2.上智大ナノテク、3.上智大理工)
[17a-C42-4]赤色GaInN系量子殻の光学特性向上のためのn-GaInNナノピラミッドのIn組成均一化に関する検討
〇中川 碧1、Weifang Lu2、深水 直斗1、服部 祐汰1、久保田 光星1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1 (1.名城大学、2.厦門大学)
[17a-C42-5]異なるナノコラムサイズをもつ InGaN/GaN ナノコラムの微細集積化
〇片桐 颯斗1、星野 航太2、進藤 隆太3、山口 智広3、関口 寛人1、富樫 理恵2,4、岸野 克己2,4 (1.豊橋技大、2.上智大理工、3.工学院大、4.上智大ナノテク)
[17a-C42-6]AlGaNナノワイヤアレイ型フォトニック結晶における高Q値化の検討
〇舘野 功太1,2、滝口 雅人1,2、佐々木 智1、江端 一晃1、若林 勇希1、大塚 琢馬3、平間 一行1、熊倉 一英1、谷保 芳孝1 (1.NTT 物性研、2.NTT NPC、3.NTT CS研)
[17a-C42-7]高アスペクト比Eu添加GaNコアシェルナノワイヤの選択OMVPE成長と発光特性評価
〇(M2)吉田 遼1、舘林 潤1,2、羽田 頼生1、坂部 士昂1、市川 修平1,3、中島 義賢4、芦田 昌明5、藤原 康文1 (1.阪大院工、2.阪大QIQB、3.阪大超高圧電顕センター、4.阪大INSD、5.阪大院基礎工)
[17a-C42-8]プラズモニック結晶デバイス応用を目指したナノコラム選択成長法によるハニカム格子InGaN/GaNナノコラムの成長
〇富山 望1、工藤 俊介1、富樫 理恵1,2、岸野 克己1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)