[17a-C42-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

11:00 〜 11:15

[17a-C42-8] プラズモニック結晶デバイス応用を目指したナノコラム選択成長法によるハニカム格子InGaN/GaNナノコラムの成長

〇富山 望¹、工藤 俊介¹、富樫 理恵^1,2、岸野 克己^1,2 (1.上智大理工、2.上智大ナノテク)

キーワード：

分子線エピタキシー、結晶成長、ナノコラム

プラズモニック結晶デバイス応用を目指した、赤色発光ハニカム格子InGaN/GaNナノコラムをRF-MBEナノテンプレート選択成長法を用いて成長し、検討を行った。