[17a-C43-1~8] 1.3 新技術・複合新領域

11:00 〜 11:15

[17a-C43-6] 高密度・高均一量子ドット構造の低温20Kにおける蛍光評価

〇(M2)伊佐早 祐大¹、板谷 太郎²、菅谷 武芳²、前田 讓治¹、天野 建² (1.東理大　創域理工、2.産総研)

キーワード：

半導体

光実装の更なる小型化・省電力化・低コスト化に向けて、半導体レーザの実装基板上への搭載が期待されているが、光部品の信頼性が十分でないことが集積化の障害となっている。我々は、GaAs基板上に高密度・高均一なInAs系量子ドットを用いた光デバイスの研究開発を行ってきた。今回、試作した量子ドット構造を、低温(20K)で蛍光評価を行った。