[17a-C43-1~8] 1.3 新技術・複合新領域

11:15 〜 11:30

[17a-C43-7] 薄膜化レーザのIL特性の温度依存性についての研究

〇(M1)谷口 清人¹、板谷 太郎²、前田 讓治¹、天野 建² (1.東理大理工、2.産総研)

キーワード：

半導体レーザ、薄膜化

一枚の基板上にスイッチASICと光トランシーバが実装されるCo-Packaged Optics(CPO)では光源が必要不可欠である。CPOに組み込まれる光源は高温環境で駆動するため、信頼性の低下や特性の劣化が課題である。我々は、高温での動作を避けるため半導体レーザの薄膜化による熱抵抗の低下や、PCBへの放熱を促し、レーザの温度を低下させることを検討している。今回我々は、薄膜化前後の半導体レーザにおいて、周辺温度を変化させた際のIL特性評価を行った。