[17a-D61-1~10] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

11:15 〜 11:30

[17a-D61-10] Co/Ni積層膜における磁歪効果に起因した垂直スピン軌道トルクの生成

〇杉本 聡志¹、塩田 陽一²、小野 輝男²、葛西 伸哉¹ (1.物材機構、2.京大化研)

キーワード：

スピン軌道トルク、磁化反転、磁気共鳴

スピン軌道トルクは高効率の電流誘起磁化反転を可能とする基幹技術として、ＭＲＡＭをはじめとする不揮発性メモリの書き込み電流を刷新する可能性を秘めている。一方、そのスピン偏極は積層デバイス構造に支配され、垂直磁化膜や面内磁化膜について零磁場での書き込みプロセスが困難となる現象が問題視されている。本講演では、新たにCo/Ni積層デバイスに生じる磁歪効果を利用することで、非従来型の面直スピン偏極ベクトルを生成することに成功した。この異方性トルクの採用により、従来の幾何学的な制約を解消した、新規的な電気的操作手法の開発が期待される。