[17a-D61-1~10] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10:00 〜 10:15

[17a-D61-5] 磁気トンネル接合のフラッシュランプアニーリングと微細構造観察

〇今井 亜希子¹、太田 進也^1,2、山﨑 順³、荒木 徹平¹、金井 康^1,4,6、小山 知弘^1,5,6、関谷 毅¹、千葉 大地^1,4,5,6 (1.阪大産研、2.東大物工、3.阪大電顕セ、4.東北大SRIS、5.阪大CSRN、6.阪大OTRI)

キーワード：

磁気トンネル接合、フラッシュランプアニーリング、TEM

スパッタ製膜されたCoFeB/MgO系磁気トンネル接合(MTJ)の熱処理をフラッシュ・ランプ・アニーリング(FLA)で行うことにより、照射時間トータル1.65s、正味3.3msという短時間で100%に迫るTMR比を得た。透過電子顕微鏡により微細構造観察と元素分析を行い、FLAによるCoFeB/MgO/CoFeB層の結晶化を確認し、従来法のアニール処理試料と比較して結晶化や元素拡散に違いがあることが分かった。