講演情報
[17a-D63-3]Graphene/h-BN/Ni-Sapphire構造を有する平面型電子源作製プロセスの開発
〇(M2)六川 蓮1,3、鷹尾 祥典1、山本 将也2,3、根尾 陽一郎2、村田 博雅3、長尾 昌善3、村上 勝久3 (1.横国大、2.静岡大、3.産総研)
キーワード:
Graphene/h-BN/Ni-Sapphire構造、六方晶窒化ホウ素、グラフェン
コメント
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン
Graphene/h-BN/Ni-Sapphire構造、六方晶窒化ホウ素、グラフェン
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン