講演情報
[17a-P01-36]六方晶窒化ホソ素フレーク上に気相成長させたグラフェンの電子物性解析
〇(B)寺田 祐晟1、宮下 裕乃介2、渡邊 賢司4、谷口 尚4、花尻 達郎1,2,3、根岸 良太1,2,3 (1.東洋大理工、2.東洋大学院、3.BN研究センター、4.物質・材料研究機構)
キーワード:
グラフェン、トランジスタ
層間相互作用の弱い乱層積層した多層グラフェンでは、グラファイト化せずに単層グラフェンが持つ線形分散の電子構造を保持する。また、グラフェンと同様の六員環構造を有する六方晶窒化ホウ素をテンプレートとした気相-固相成長により、新たなグラフェン構造が形成し、ファンデルワールスヘテロエピタキシャル成長により乱層積層構造を形成している。本研究では、気相-固相成長したグラフェンアイランドの電子物性を調べた。
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