セッション詳細
[17a-P01-1]マイクロ波によるカーボンナノウォール合成の鉄系触媒効果
〇榎本 貴允1、金田 美優2、古林 宏之1,2、山本 真平1、池田 直2 (1.三恵技研工業株式会社、2.岡山大学院環境自然)
[17a-P01-2]フッ素ドープ酸化スズ上への水素置換グラフィジインの合成
〇山本 輝1、Chellamuthu Jeganathan1、原 正則1、吉村 雅満1 (1.豊田工大工)
[17a-P01-5]ニッケル触媒薄膜上に成長させた鉄内包カーボンナノチューブの磁気特性におけるプラチナ添加の効果
〇矢野 裕己1、藤原 裕司1、佐藤 英樹1 (1.三重大院工)
[17a-P01-6]ホウ素ドープカーボンナノウォールの高速合成と特性
〇金田 美優1、萱原 空輝2、深田 幸正3、吉井 賢資3、福田 竜生3、吉越 章隆3、小畠 雅明3、池田 直1、狩野 旬1、藤井 達生1 (1.岡山大院環境自然、2.岡山大理、3.原子力機構)
[17a-P01-7]変動温度下における半導体型および金属型カーボンナノチューブの成長速度追跡
〇(M2)藤原 隆二1、千足 昇平1、丸山 茂夫1、大塚 慶吾1 (1.東大工)
[17a-P01-8]その場XAFS測定によるAl2O3担体上のFe触媒からの単層カーボンナノチューブ生成過程の解明
〇堀内 順平1、水野 慎也1、才田 隆広1,2、成塚 重弥1、丸山 隆浩1,2 (1.名城大理工、2.名城大ナノマテ研)
[17a-P01-9]SIB 負極用窒素ドープ膨張化グラファイトの作製
〇大塚 丞1、Kumara G.R.A.2、原 正則1、吉村 雅満1 (1.豊田工大工、2.NIFS)
[17a-P01-10]Separation of Catalysts from Carbon Nanotubes Synthesized by Microwave-Assisted Heating
〇IPutu Abdi Karya1, Masakatsu Fujii1, Kohei Nakagawa2, Yota Kageyama1, Muhammad Al Jalali1, Fumihiro Nishimura3, Toyohiko Nishiumi1, Takayuki Asano1, Seitaro Mitsudo1 (1.Dept. of Appl. Phys., Univ. of Fukui, 2.FIR, Univ. of Fukui, 3.HISAC, Univ. of Fukui)
[17a-P01-11]カーボンナノチューブ複合紙による蒸気発電紙のための分散剤の検討
〇三巻 飛由1、新井 皓也2、大矢 剛嗣1,3 (1.横国大院理工、2.三菱マテリアル、3.横国大 IMS)
[17a-P01-12]TiO2導入によるCNT複合紙を用いた色素増感太陽電池紙の発電効率向上検討
〇KOU YI1、大矢 剛嗣1,2 (1.横国大院理工、2.横国大IMS)
[17a-P01-14]CNT切紙熱電デバイスを活用したバッテリーレス温度モニタリング
〇本宮 大二朗1、西浦 憲3、内田 秀樹3、元祐 昌廣2、中嶋 宇史1 (1.東理大物工、2.東理大機械、3.日本ゼオン)
[17a-P01-19]ボロメータ型CNT赤外線検出器の素子分離プロセス開発
〇福田 紀香1、田中 朋1,2、殿内 規之1,2、金折 恵1、弓削 亮太1,2 (1.産総研、2.日本電気)
[17a-P01-20]物理リザバー応用に向けたナノカーボンランダムネットワークの電気特性制御:絶縁性ナノ材料添加の影響
〇鈴木 賢斗1、井ノ上 泰輝1、仁科 勇太2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.岡山大)
[17a-P01-21]カーボンナノチューブ複合紙を用いたトライボ発電の直列化による出力向上検討
〇大河内 一輝1、大矢 剛嗣2,1 (1.横国大院理工、2.横国大 IMS)
[17a-P01-25]六方晶窒化ホウ素フレーク上のグラフェン気相成長機構の解析
〇(B)笹沼 碧1、渡邊 颯人2、宮下 裕乃介3、高塚 亮輔3、渡邊 賢司5、谷口 尚5、花尻 達郎1,3,4、根岸 良太1,3,4 (1.東洋大理工、2.大阪大学院、3.東洋大学院、4.BN研究センター、5.物質・材料研究機構)
[17a-P01-26]グラフェン成長応用に向けたNi(111)の組成分析および構造評価
〇八木 遂行1、スバギョ アグス1、佐藤 真1、大和田 真1、中根 晃紀1、八田 英嗣1、末岡 和久1 (1.北大院情)
[17a-P01-27]CとNiの二層膜の真空加熱法による基板へのグラフェン直接成長
〇(M2)佐藤 真1、Subagyo Agus1、大和田 真1、芳野 藤也1、中根 晃紀1、八木 遂行1、八田 英嗣1、末岡 和久1 (1.北大院情)
[17a-P01-28]K添加多層グラフェンFETにおけるEBAC像のゲート電圧依存性
〇沖川 侑揮1、増澤 智昭2、中島 秀朗1、岡崎 俊也1、山田 貴壽1 (1.産総研、2.静大)
[17a-P01-31]エタノール雰囲気高温還元した酸化グラフェン薄膜の表面形状と結晶性
〇(M1)神田 哲志1、島崎 直希1、山下 朋晃1、鵜飼 智文2、黒須 俊治2、花尻 達郎1,2、前川 透2、仁科 勇太3、根岸 良太1,2 (1.東洋大院理工、2.BN研究センター、3.岡山大)
[17a-P01-32]カラムクロマトグラフィーによる高量子収率グラフェン量子ドットの均一性の向上
〇(M2)石井 夏野1、細貝 拓也2、菅井 俊樹1、桒原 彰太1 (1.東邦大院理、2.産総研)
[17a-P01-35]乱層積層した多層グラフェンの合成と電子輸送特性に関する研究
〇(M2)山下 朋晃1、鵜飼 智文2、黒須 俊治2、花尻 達郎1,2、前川 透2、仁科 勇太3、山口 智弘4、石橋 幸治4、根岸 良太1,2 (1.東洋大院理工、2.BN研究センター、3.岡山大、4.理研)
[17a-P01-36]六方晶窒化ホソ素フレーク上に気相成長させたグラフェンの電子物性解析
〇(B)寺田 祐晟1、宮下 裕乃介2、渡邊 賢司4、谷口 尚4、花尻 達郎1,2,3、根岸 良太1,2,3 (1.東洋大理工、2.東洋大学院、3.BN研究センター、4.物質・材料研究機構)
[17a-P01-37]プラズモニックナノ格子上のグラフェンに対するラマンスペクトル分析
〇岩川 学1、福島 昌一郎1、嶋谷 政彰1、小川 新平1 (1.三菱電機株式会社)
[17a-P01-38]グラフェン/hBN構造における光熱電効果による光通信波長光の検出
〇大胡 真実1、佐藤 遥大1、オ ビュンフン1、小澤 大知2、北浦 良2、渡邊 賢司2、谷口 尚2、森山 悟士1、藤方 潤一3、岩﨑 拓哉2 (1.東京電機大、2.物材機構、3.徳島大)
[17a-P01-39]触媒微細構造を用いた電極間のグラフェン直接成長に関する研究
〇大和田 真1、Subagyo Agus1、佐藤 真1、中根 晃紀1、八木 遂行1、八田 英嗣1、末岡 和久1 (1.北大院情)
[17a-P01-40]グラフェン/Si太陽電池応用に向けたオゾン酸化法によるSiO2パッシベーション膜の形成と評価
〇芳野 藤也1、スバギョ アグス1、大和田 真1、中根 晃紀1、八木 遂行1、八田 英嗣1、末岡 和久1 (1.北大院情)
[17a-P01-43]Sr をインターカレートした数層グラフェンの作製
〇吉川 英恕1、村山 真理子1,2、趙 新為1、西尾 太一郎1 (1.東理大理、2.東洋大工技研)
[17a-P01-51]化学量論組成からのずれに起因する内因性欠陥がSnS薄膜の物性に与える影響
〇(D)野上 大一1、茂田井 大輝1、鈴木 一誓1、小俣 孝久1 (1.東北大)
[17a-P01-54]MoS2-FETフォトカレントの銅ナフタロシアニン分子吸着量依存性
〇高岡 毅1、小菅 楽2、Liu Haotian2、黒澤 一姫2、Chandra Devsharma Sushen2、安藤 淳3、米田 忠弘1 (1.東北大多元研、2.東北大院理、3.産総研)
[17a-P01-55]Bi2Te3/CoFeBの逆スピンホール効果における界面層の影響
〇諸田 美砂子1、畑山 祥吾1、ジェバスワン ウイパコーン2、深田 直樹2、齊藤 雄太1,3 (1.産総研、2.物材機構、3.東北大)
[17a-P01-56]Electronic state modulation of MoS2 using monovalent benzyl viologen solution
〇Mao Xu1, Chen Li1, Guanting Liu1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[17a-P01-57]WSe2 MOSFETにおける電極コンタクトへの絶縁性ポリマー層の挿入
〇(M1)直井 涼一郎1、Durgadevi Elamaran1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
[17a-P01-58]MoTe2縦型伝導素子における電極材料の影響
〇熊谷 直紀1、杉野 温貴1、宇澤 拳太郎1、筒井 博隆1、岩﨑 拓哉2、中払 周3、塚越 隆行4、小松 克伊4、大坊 忠臣4、森山 悟士1 (1.東京電機大、2.物材機構、3.東京工科大、4.キオクシア)
[17a-P01-59]hBN/単層MoTe2チャネルFETにおける電気的特性の環境依存性
〇(M1)吉村 拓1、滋野 博史1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、星 裕介1 (1.東京都市大、2.NIMS)
[17a-P01-60]Graphene/MoS2ヘテロ接合型FETに向けたMoS2-FETの作製プロセスおよびトランジスタ特性の評価
〇三村 賢斗1、長谷川 尊之1、原田 義之1、小山 正俊1、前元 利彦1、藤元 章1 (1.大阪工大 ナノ材研)
[17a-P01-61]Enhanced MoS2 Memristor Emulating Synaptic Behavior through Contact Engineering
〇(P)Elamaran Durgadevi1, Daisuke Kiriya1 (1.The Univ. of Tokyo)
[17a-P01-62]TaOx/TaS2ヘテロ構造を用いたMoS2浮遊ゲートFETの作製
〇(M1)佐橋 悠太朗1、稲田 貢1、佐藤 伸吾1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
[17a-P01-63]VOx/VSe2 ヘテロ構造における抵抗変化メモリ動作の評価
〇(M2)中村 優太1、稲田 貢1、上野 啓司2、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.埼玉大院理工)
[17a-P01-64]電気二重層ドーピングによる金属/MoS2接合における接触抵抗の低減
〇(M1)湊川 郁也1、森 順哉1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、竹延 大志1 (1.名大工、2.都立大理)
[17a-P01-65]遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層発光素子
〇山田 圭佑1、宇佐美 怜1、大井 浩司1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、竹延 大志1 (1.名大工、2.都立大理)
[17a-P01-66]メチル化ゲルマナン薄膜トランジスタの光起電力特性
〇蜂谷 航平1、平岡 佑貴1、田畑 博史1、片山 光浩1、久保 理1,2 (1.大阪院工、2.岐阜大)