[17p-A33-1~12] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

13:30 〜 14:00

[17p-A33-1] [分科内招待講演] 強誘電メモリにおける多彩な現象と信頼性

〇市原 玲華¹、鈴木 都文¹、吉村 瑶子¹、浜井 貴将¹、シリュコワ ビクトリア¹、松尾 和展¹、鈴木 正道¹、齋藤 真澄¹ (1.キオクシア株式会社)

キーワード：

強誘電メモリ、FeFET、HfO2

HfO₂強誘電メモリは、低電圧・高速動作性、CMOSプロセス親和性から注目を集め、人工知能向けインメモリコンピューティングをはじめとする応用検討が行われている。その一種であるHfO₂-FeFETでは、自発分極の反転に加え様々な電荷捕獲/放出が生じており、それぞれがデバイス性能と異なる形で関連している。当日は、HfO₂-FeFETで生じる多彩な現象と、それらが基本動作や信頼性に及ぼす影響を紹介する。