[17p-B1-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

14:45 〜 15:00

[17p-B1-7] Mg₂Si-PDアレイの窒化シリコン絶縁膜の暗電流への影響

〇武井 日出人¹、尾嶋 海人¹、坂根 駿也¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大)

キーワード：

フォトダイオード、pn接合、絶縁膜

我々は、Mg₂Siを用いた短波赤外（SWIR）域の受光素子の開発を進めており、これまでに作製した単一のpn接合フォトダイオード（PD）素子で高い受光感度を実現している。今後Mg₂Siを用いた短波赤外イメージセンサへと応用するため、PDアレイの作製プロセスの開発を進めている。これまで、Mg₂Si上の絶縁膜としてSiO₂を用いていたが、今後のプロセスの汎用性を高めることを考えると他の絶縁膜についても検討を進める必要がある。そこで本研究では絶縁膜として広く利用されている窒化シリコン（SiN_x）を絶縁膜に用いてMg₂Si基板上にpn接合PDを作製し、その電気的特性を評価しSiO₂絶縁膜と比較したので報告する。