講演情報
[17p-B1-8]メサ型 β-FeSi2 pnホモ接合素子の作製と電気特性評価
〇田中 光太1、長友 颯一朗1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
半導体、β-FeSi2、エッチング
β-FeSi2 では間接遷移吸収端が 0.8 eV 付近に位置するため，近赤外領域の光電変換材料として期待されている．これまで我々は，β-FeSi2 pnホモ接合素子を作製し，近赤外領域での光検出に成功してきた．しかし，得られた分光感度は小さく，感度向上に向けた素子構造の検討が必要である． β-FeSi2 pn接合界面には欠陥準位が存在するため， その準位を介した暗電流が逆バイアス下で発生してしまう．しかし，これまでのプレーナ型素子では，電極間での電流広がりを抑制できず，暗電流の低減が困難である．そこで本研究では，メサ型構造の β-FeSi2 pnホモ接合素子において，暗電流の低減を観測したので報告する．
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