講演情報
[17p-B1-9]Ge/β-FeSi2薄膜におけるPL，PR スペクトルのGe面内ひずみ量依存性
〇長友 颯一朗1、石飛 新太郎1、寺井 慶和1 (1.九工大情報工)
キーワード：
半導体、ゲルマニウム、光変調反射率
Geは間接遷移型半導体であるが，2%の面内引張ひずみ導入により直接遷移型となることが予測される．我々はβ-FeSi2上の Ge薄膜でGe面内引張ひずみの導入を目指している．これまでに2段階成長法（低温でのGe初期成長＋Ge高温成長）により，Ge(001)/β-FeSi2(100)薄膜を作製してきた．今回は，これら試料でPL，PRスペクトルを測定し，ひずみに依存したGeの電子構造変化について検証した．
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