[17p-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

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[17p-B2-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/第二世代 (25) 格子間窒素単量体, Ni

〇井上 直久¹、川又 修一¹、奥田 修一¹ (1.大阪公大 放射線研究センター)

キーワード：

シリコン結晶、窒素、赤外吸収

我々は2011年にas-grownのCZ, FZ Si中に大量のNi赤外吸収を見出した。2023年にNFZ Siを熱処理すると発生するdeep levelがパワーデバイスのlifetimeを低下させると報告されたので、Niから発生したVNsが原因と考えた。そこで2000年頃のCZ結晶のNiを調べた。同時にI-richと考えるO2i が多いことを見出した。前者はV-richと考えられる。