セッション詳細

[17p-B2-1~9]15.7 結晶評価,不純物・結晶欠陥

2024年9月17日(火) 13:00 〜 15:30
B2 (展示ホールB)
平野 愛弓(東北大)、 鳥越 和尚(SUMCO)

[17p-B2-1]高濃度B添加<110>方位CZ-Si単結晶の転位挙動の観察

〇松村 尚1,2、成松 真吾1、斉藤 広幸1、福井 勇希2、太子 敏則2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.信大工)
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[17p-B2-2][110]方位でのCZ-Si単結晶育成における種子づけ時の熱ショック転位挙動の検討

〇藤 倫太郎1、塚田 大喜1、干川 岳志1、斉藤 広幸2、松村 尚2、太子 敏則1 (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社)
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[17p-B2-3]CZ-Si単結晶育成における種子づけ界面直下の形状と応力分布解析

〇(M1C)塚田 大喜1、藤 倫太郎1、干川 岳志1、斎藤 広幸2、松村 尚1,2、太子 敏則1 (1.信大工、2.グローバルウェーハズ・ジャパン)
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[17p-B2-4]RTPウェーハにおける残留空孔の形態に関する研究

〇須藤 治生1、岩城 浩也1,2、早川 兼1 (1.グローバルウェーハズジャパン、2.岡山県大院情報系工)
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[17p-B2-5]RTPウェーハのBMD析出核 (VOX) 構造に関する理論的研究

〇岩城 浩也1,2、須藤 治生1、早川 兼1、神山 栄治1、末岡 浩治3 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.岡山県大院情報系工、3.岡山県大情報工)
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[17p-B2-6]Si ウェーハの表面熱酸化膜中のCristobalite 相

〇神山 栄治1,2、末岡 浩治2 (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県立大)
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[17p-B2-7]シリコン結晶基板の品質と点欠陥 第二世代 (12) 同位体と真正点欠陥の不均一

〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
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[17p-B2-8]シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学/第二世代 (25) 格子間窒素単量体, Ni

〇井上 直久1、川又 修一1、奥田 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
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[17p-B2-9]シリコン結晶中の低濃度炭素の測定/第二世代(28)赤外吸収のmiddle, inner phonon band対策 (1)

〇井上 直久1、奥田 修一1、川又 修一1 (1.大阪公大 放射線研究センター)
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