[17p-C301-1~11] 9.4 熱電変換

13:30 〜 13:45

[17p-C301-1] [第56回講演奨励賞受賞記念講演] 歪み緩和したエピタキシャルMg₃Sb₂薄膜の熱電特性

〇坂根 駿也¹、鮎川 瞭仁¹、切通 望¹、山本 若葉²、安原 聡²、山下 雄一郎³、鵜殿 治彦¹ (1.茨大院理工、2.日本電子、3.産総研)

キーワード：

熱電材料、ジントル相化合物、エピタキシャル成長

我々はこれまで、分子線エピタキシー（MBE）法によりサファイア基板上にMg₃Sb₂をエピタキシャル成長し、熱電特性を評価してきた。サファイア基板に対して大気下での熱処理を加えることで高配向性のエピタキシャルMg₃Sb₂薄膜の作製に成功した。また、本薄膜は高い移動度を示し高い出力因子を得ることが分かった。本研究では、薄膜の構造を詳細に評価することで、その高い熱電特性の起源を明らかにし、性能向上の指針を得ることを目的とした。